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NVRAM非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)

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发表于 21:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory),是指断电后仍能保持数据的一种RAM。
通俗地解释非易失性存储器,那就是指断电之后,所存储的数据不丢失随机访问存储器。

之所以加如此的定语,是因为:
1.通常的随机访问存储器掉电后数据就丢失。随机访问存储器(Random Access Memory,RAM)包含SRAM和DRAM(其又分为SDRAM,DDR SDRAM,DDR2 SDRAM ,RDRAM,Direct RDRAM),断电之后信息就丢失了。其中,DRAM又分为SDRAM(由6个晶体管组成),DDR SDRAM(有一个晶体管组成),DDR2 SDRAM(利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据,使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍) ,和采用RSL技术的RDRAM,Direct RDRAM),
2.NVRAM需要能够随机访问。因此有些解释中,说Flash是属于NVRAM,是不完全准确的。因为从严格意义上来说,Flash分有两种:nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的,而nand flash不是真正的随机访问,属于顺序访问(serial access)。

目前常见的NVRAM
1.带有备用电源的SRAM
2.借助NVM(比如E2PROM、大电容+Flush)存储SRAM的信息并恢复来实现非易失性。

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